① 干扰在第二屏蔽层上产生的感应电动式Vi与信号传输回路绝缘,所以不能直接在信号传输回路中产生干扰电压。
② 尽管内外屏蔽层之间是绝缘的,但两层导体之间仍有分布电容Co存在,外屏蔽层感应电动势可以通过分布电容Co耦合到内屏蔽层上,间接形成干扰Vio。
③ 分布电容Co的耦合作用与频率有关,对50Hz干扰及电机,电火花等常见的强干扰,频率都很低,Co的容抗Zco很大,远远大于内屏蔽层纵向电阻Rd(几欧姆到几十欧姆),这样外屏蔽层感应电动势Vi,必须经过Co高容抗Zco与低电阻Rd高比率分压衰减,才是耦合到内屏蔽层上的有效干扰电动势Vio,显然抗干扰能力也就大幅度提高;